به گزارش روز سه شنبه گروه اخبار علمي ايرنا از پايگاه خبري ساينس ديلي، فناوري فعلي مورد استفاده براي ساخت ترانزيستورها شامل به كارگيري مواد نيمه رسانا براي انتقال الكترون ها است، اما اين فناوري به مرزهاي فيزيكي خود رسيده است و اكنون مواد نيمه رساناي مورد استفاده در آن ها مانع جريان الكتريكي مي شوند. در نتيجه سرعت انتقال الكترون ها كاهش يافته و دماي تجهيزات الكترونيكي افزايش مي يابد.
اما در فناوري جديد جريان الكتريكي از درون تونل هاي هوا عبور مي كند و مواد نيمه رسانايي در اين تونل ها وجود ندارد كه موجب كاهش سرعت حركت الكترون ها، ايجاد مقاومت الكتريكي و در نتيجه افزايش دما شود.
در طول دهه گذشته محققان توانسته اند به طور متوسط در هر دو سال راهكارهاي جديدي را براي افزايش تراكم ترانزيستورها درون تراشه هاي سيليكوني بيابند و قدرت و كارآيي اين تراشه هاي كامپيوتري در هر دو سال به ميزان دو برابر افزايش يافته است. در نتيجه تراشه هاي امروزي بسيار متراكم و كوچك شده اند و به مرز فيزيكي اين فناوري رسيده اند.
اين فناوري جديد با استفاده از راهكاري متفاوت امكان كوچك سازي ترانزيستورها و حفظ اين روند را حداقل براي چند دهه آينده فراهم مي كند.
در اين فناوري محققان به جاي استفاده از بسته بندي خلا به منظور كاهش تراكم ترانزيستورها، از تونل هاي باريك هوا استفاده مي كنند. اين تونل ها تنها چندده نانومتر قطر دارند و 50 هزار برابر كوچكتر از قطر تار موي انسان هستند و زماني كه الكترون ها از درون آن ها عبور مي كنند، شرايطي مانند عبور از خلا را تجربه مي كنند.
به گفته محققان اين فناوري با فناوري هاي موجود كاملا سازگار است و امكان پيشرفت فناوري هاي الكترونيكي را با سرعت كنوني در اختيار مي گذارد.
گزارش كامل اين تحقيقات در نشريه Nano Letters منتشر شده است.
علمي (6)**9259**1440
تهران – ايرنا - متخصصان الكترونيك دانشگاه RMIT واقع در استراليا، نوع جديدي از ترانزيستورها را طراحي كردند كه به جاي استفاده از سيليكون براي انتقال الكترون ها، از تونل هاي هوا در ابعاد نانو بهره مي برند.
