۱۰ خرداد ۱۳۹۵،‏ ۱۴:۰۹
کد خبر: 82094173
۰ نفر
توليد نانو حافظه 8 گيگا بايتي

تهران - ايرنا - غول الكترونيك كره اي 'سامسونگ' اعلام كرد، توليد انبوه نانوحافظه 8 گيگابايتي را آغاز كرده است.اين تراشه مي‌تواند سرعت رايانه ها را افزايش دهد.

به گزارش ايرنا از ستاد ويژه توسعه فناوري نانو معاونت علمي و فناوري رياست جمهوري، اين نانوحافظه عملكرد سيستم را 30 درصد نسبت به حافظه‌هاي 4 گيگابايتي افزايش مي‌دهد.
پيش از اين فناوري تراشه حافظه 4گيگابايتي DDR3 توليد شده بود كه تنها دو سال بعد از توليد آن، اين نسل جديد از فناوري پا به عرضه ظهور گذاشته است. در حافظه 8 گيگابايتي DDR4 از فناوري 10 نانومتري استفاده شده در حالي كه نسل قبلي يعني حافظه 4 گيگابايتيDDR3 از فناوري 20 نانومتري استفاده شده بود.
نتايج آزمايش‌هاي انجام شده سامسونگ نشان مي‌دهد كه اين فناوري جديد مي‌تواند كارايي سيستم را 30 درصد نسبت به فناوري 20 نانومتري، افزايش دهد.
اين شركت اعلام كرده، حافظه 10 نانومتري جديد مي‌تواند كارايي سيستم‌هاي IT را به شكل قابل توجهي افزايش دهد به طوري كه موتور رشد جديدي در صنعت توليد حافظه ايجاد شود. در آينده نزديك، نسل جديد ادوات الكترونيكي نظير تلفن همراه مجهز به اين حافظه 10 نانومتري شده كه دانسيته مدارها در آن به بالاترين حد ممكن مي‌رسد.
سامسونگ در جديدترين اظهار نظر خود اعلام كرده كه قصد دارد توليد انبوه تلفن‌هاي همراه مجهز به فناوري 10 نانومتري را آغاز كند. اين تلفن‌ها در سال جاري ميلادي توليد شده و رقابت‌پذيري اين شركت را در حوزه توليد تلفن‌هاي هوشمند افزايش مي‌دهد.
علمي **1311**1440